三星电子的半导体困境：HBM的斗争，竞争对手表

三星电子产品在今年第二季度的营业利润明显低于市场预期，这引起了人们对其业务失败的担忧，其带宽很高，这被认为是该领域的最大因素以及OEM业务的潜在恢复。尽管对存储半导体的需求懒惰，但SK hynix和Micron在HBM和高性能鼓中取得了出色的成绩，而三星电子正在与性能差的Quagmire斗争。特别是，自第四代HBM（HBM3）以来，三星电子未能取得重大结果，导致SK hynix和Micron在市场上处于领先地位。根据国内证券公司的审查，三星电子记忆部记录了营业利润，即3万亿美元的胜利，而OEM和Systems LSI部门估计将记录大约2.5万亿胜利的不足。第二次SK Hynix营业利润预计季度预计将在9万亿次赢得范围内，这是三倍的商业记忆盈利能力的差距。 HBM运营方法完全失望了……“ DS运营利润不超过1万亿的获胜。”三星电子公司在8日宣布，今年第二季度的销售额为74万亿赢家，营业利润为4.6万亿胜。与去年第二季度相比，销售额下降了0.1％，营业收入下降了55.9％。营业收入明显低于6.3万亿美元的预测。在上个月中，安全分析师严格降低了他们对三星电子第二季度营业利润的期望，该利润减少了约2万亿的获胜者，但实际结果更糟。第二季度主要的家用证券公司的表现不佳的主要原因是HBM业务战略的失败。特别是激活ELY促进了第五代HBM（HBM3E）的供应并增强产量和投资能力，审查表明，与期望相比，性能不是很好。人工智能（AI）行业的主要参与者NVIDIA的供应延迟似乎对销售产生了负面影响和增加的库存成本。 “尽管智能手机业务在第二季度表现良好，但HBM销售的落下，反映了高级流程的成本以及铸造厂的崩溃，可以进行半导体的表现痛苦地放缓。他解释说：“ HBM可能记录了去年开始的雄心勃勃的劳动计划。蔡说，第二季度降低了三星电子的销售和营业利润。 Chong说：“ Min-Sook是韩国投资证券的一名研究人员”，而SK Hynix和Micron的三星HBM3E 12竞争对手的目标是获得下一代HBM4 12层的认证。” Estimates that Samsung Electronics has lost more than 300 billion winning the NAND Flash Business in the second quarter Foundry Departments have been reported to have expanded the losses are also grim ... "The gap along with SK Hynix and Micron in the HBM field" are expected to achieve any major rotation in the second half of this year aiming to spin the situation in the sixth generation (D1C) 10-nanometer HBM4, but researcher Chae Min-Sook said: “现在确认1C基础还为时过早自从进入HBM3E以来，基于D HBM4的竞争。“共享三星电子市场”在SK hynix和Micron的背后被大大抓住，这在确保其最重要的NVIDIA合作伙伴的供应方面面临着重要的挑战，” NVIDIA认证。“ NVIDIA认证，最初是在第二季度延迟了第三季度，直到第三季度，这是第三季度，这是第三季度的一季度。很难与台湾TSMC的所有尖端的3NM销量一起赶上SK Hynix和Micron。 DRAM价格趋势预计将在第三季度稳定下来，有可能进行价格调整第四节中的“添加”，“添加” DDR4 DRAM的使用寿命，对库存的累积需求和关税的影响会带来一些积极的影响，但是随着DDR5 Premium Pricium Pricier Retreat的撤退，预计价格还可以维修。在DRAM和HBM市场中，今年下半年将第六代10纳米DRAM的质量弥补。发展自身是个好消息，但重要的是要意识到，只有完成该过程的发展并不能保证随后的大众劳动的收益和质量保证，“加法”，当我们通过第三季度时，才能恢复技术竞争。